Автор:Admin / Fishka / 0 комментариев

Samsung запустила производство флэш-памяти V-NAND пятого поколения

Компания Samsung приступила к массовому производству флэш-памяти V-NAND пятого поколения. Она предназначена для широкого спектра устройств – от смартфонов и планшетов до компьютеров.

 

Главной особенностью новой памяти V-NAND стал интерфейс Toggle DDR 4.0. Он обеспечивает 40-процентное увеличение скорости передачи данных по сравнению с предыдущим поколением. Максимальная скорость теперь достигает 1,4 Гбит/с. Наряду с увеличенной скоростью передачи данных новая флэш-память может похвастаться и улучшенной энергоэффективностью. Рабочее напряжение снизилось с 1,8 до 1,2 В. Чипы V-NAND пятого поколения имеют 90 слоёв, которые образуют пирамидообразную структуру с микроскопическими отверстиями посередине, которые выступают в качестве каналов. Новая память обеспечивает рекордно короткое время реакции в режиме записи – всего 500 мкс, что на 30% меньше, чем у предыдущего поколения. А время реакции в режиме чтения сократилось до 50 мкс. Samsung планирует наращивать объёмы производства флэш-памяти V-NAND пятого поколения. Новые высокопроизводительные 256-гигабайтные чипы найдут своё применение в предстоящих устройствах Samsung, включая топовые смартфоны.